સેમિકન્ડક્ટર પ્રેશર સેન્સરને બે કેટેગરીમાં વિભાજિત કરી શકાય છે, એક એ સિદ્ધાંત પર આધારિત છે કે સેમિકન્ડક્ટર PN જંકશન (અથવા સ્કૉટકી જંકશન) ની I-υ લાક્ષણિકતાઓ તણાવ હેઠળ બદલાય છે. આ દબાણ સંવેદનશીલ તત્વનું પ્રદર્શન ખૂબ જ અસ્થિર છે અને તે મોટા પ્રમાણમાં વિકસિત થયું નથી. બીજું સેમિકન્ડક્ટર પીઝોરેસિસ્ટિવ અસર પર આધારિત સેન્સર છે, જે સેમિકન્ડક્ટર પ્રેશર સેન્સરની મુખ્ય વિવિધતા છે. શરૂઆતના દિવસોમાં, વિવિધ તાણ અને તાણ માપવાના સાધનો બનાવવા માટે સેમિકન્ડક્ટર સ્ટ્રેન ગેજ મોટે ભાગે સ્થિતિસ્થાપક તત્વો સાથે જોડાયેલા હતા. 1960 ના દાયકામાં, સેમિકન્ડક્ટર ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ ટેક્નોલોજીના વિકાસ સાથે, પીઝોરેસિસ્ટિવ તત્વ તરીકે પ્રસરણ રેઝિસ્ટર સાથે સેમિકન્ડક્ટર પ્રેશર સેન્સર દેખાયા. આ પ્રકારના પ્રેશર સેન્સરમાં સરળ અને ભરોસાપાત્ર માળખું હોય છે, કોઈ સાપેક્ષ ફરતા ભાગો નથી, અને સેન્સરનું દબાણ સંવેદનશીલ તત્વ અને સ્થિતિસ્થાપક તત્વ એકીકૃત હોય છે, જે યાંત્રિક લેગ અને ક્રીપને ટાળે છે અને સેન્સરની કામગીરીમાં સુધારો કરે છે.

સેમિકન્ડક્ટરની પીઝોરેસિસ્ટિવ અસર સેમિકન્ડક્ટર બાહ્ય બળ સાથે સંબંધિત લાક્ષણિકતા ધરાવે છે, એટલે કે, પ્રતિકારકતા (ચિહ્ન ρ દ્વારા રજૂ થાય છે) તે જે તણાવ ધરાવે છે તેની સાથે બદલાય છે, જેને પીઝોરેસિસ્ટિવ અસર કહેવાય છે. એકમ તાણની ક્રિયા હેઠળ પ્રતિકારકતાના સાપેક્ષ ફેરફારને પીઝોરેસિસ્ટિવ ગુણાંક કહેવામાં આવે છે, જે પ્રતીક π દ્વારા વ્યક્ત થાય છે. ગાણિતિક રીતે ρ/ρ = π σ તરીકે વ્યક્ત કરો.

જ્યાં σ તણાવ દર્શાવે છે. સ્ટ્રેસ હેઠળ સેમિકન્ડક્ટર રેઝિસ્ટન્સને કારણે રેઝિસ્ટન્સ વેલ્યુ (R/R) નું પરિવર્તન મુખ્યત્વે પ્રતિકારકતાના ફેરફાર દ્વારા નક્કી કરવામાં આવે છે, તેથી પીઝોરેસિસ્ટિવ અસરની અભિવ્યક્તિને R/R=πσ તરીકે પણ લખી શકાય છે.

બાહ્ય બળની ક્રિયા હેઠળ, સેમિકન્ડક્ટર સ્ફટિકોમાં ચોક્કસ તાણ (σ) અને તાણ (ε) ઉત્પન્ન થાય છે, અને તેમની વચ્ચેનો સંબંધ યંગના મોડ્યુલસ (Y) દ્વારા નિર્ધારિત થાય છે, એટલે કે, Y=σ/ε.

જો પીઝોરેસિસ્ટિવ અસર સેમિકન્ડક્ટર પરના તાણ દ્વારા વ્યક્ત કરવામાં આવે, તો તે R/R=Gε છે.

G ને પ્રેશર સેન્સરનું સંવેદનશીલતા પરિબળ કહેવામાં આવે છે, જે એકમ તાણ હેઠળ પ્રતિકાર મૂલ્યના સંબંધિત ફેરફારને રજૂ કરે છે.

પીઝોરેસિસ્ટિવ ગુણાંક અથવા સંવેદનશીલતા પરિબળ એ સેમિકન્ડક્ટર પીઝોરેસિસ્ટિવ અસરનું મૂળભૂત ભૌતિક પરિમાણ છે. તેમની વચ્ચેનો સંબંધ, તાણ અને તાણ વચ્ચેના સંબંધની જેમ, સામગ્રીના યંગ મોડ્યુલસ દ્વારા નક્કી કરવામાં આવે છે, એટલે કે, g = π y.

સ્થિતિસ્થાપકતામાં સેમિકન્ડક્ટર સ્ફટિકોની એનિસોટ્રોપીને કારણે, યંગનું મોડ્યુલસ અને પીઝોરેસિસ્ટિવ ગુણાંક ક્રિસ્ટલ ઓરિએન્ટેશન સાથે બદલાય છે. સેમિકન્ડક્ટર પીઝોરેસિસ્ટિવ અસરની તીવ્રતા પણ સેમિકન્ડક્ટરની પ્રતિકારકતા સાથે ગાઢ રીતે સંબંધિત છે. પ્રતિકારકતા ઓછી, સંવેદનશીલતા પરિબળ ઓછું. પ્રસરણ પ્રતિકારની પીઝોરેસિસ્ટિવ અસર સ્ફટિક ઓરિએન્ટેશન અને પ્રસરણ પ્રતિકારની અશુદ્ધતા સાંદ્રતા દ્વારા નક્કી કરવામાં આવે છે. અશુદ્ધતા સાંદ્રતા મુખ્યત્વે પ્રસરણ સ્તરની સપાટીની અશુદ્ધતા સાંદ્રતાને દર્શાવે છે.